南昌欣磊光电科技有限公司与南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心(以下简称“南昌大学发光中心”)合作,采用硅衬底制造GaN基发光二极管技术研发方面取得重大突破,成功实现产业化,取得阶段性成果。该开发项目获得了2004年度电子...
分类:业界要闻 时间:2008/5/12 阅读:1309 关键词:二极管
据悉,台湾Tagan科技日前宣布推出了一系列的新品电源,这系列电源包括了BZ500、BZ700W、BZ900W、BZ1100W、BZ1300W五款新品电源,并且全部都是模块化电源产品,而型号BZ1100和BZ1300W更兼容ESA认证。在设计上BZ
分类:新品快报 时间:2008/3/7 阅读:225
晶电:08年成长动力来自AlGaln LED及InGaN LED,产能各有100%及45%的成长
晶电执行副总周铭俊31日下午参加证交所「上市公司业绩发表会」时表示,2008年晶电主要成长动力来自AlGalnLED、InGaNLED,其中AlGalnLED应用范围愈来愈广,包括户外显示屏等,晶电基期低有很大成长空间,而晶电2008年AlGaln
分类:行业趋势 时间:2008/1/3 阅读:688
据日经BP社报道,松下开发出了耐压高达1万400V、采用GaN类半导体的晶体管。这一数值相当于之前GaN类晶体管的值“1900V的5倍以上”。用途方面,设想用于配备在电车和产业用电力设备(电压高达几千V)中的马达驱动电路等。导通电阻仅为183m
分类:名企新闻 时间:2007/12/21 阅读:408 关键词:晶体管
由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理,目前大部分手机中的功放(PA)都采用GaAs来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用CMOS工艺来大规模量产这种射频前端器件,而研究人员...
分类:行业趋势 时间:2007/12/20 阅读:303
中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)专家吴玲日前表示,中国LED市场持续扩大,于2006年达到了146亿元。1997~2006年的年平均增长率高达29%。今后市场还将继续扩大,预计到2010年达到320亿元。而GaN类LED的供货量到20
分类:行业趋势 时间:2007/12/5 阅读:573 关键词:lead
SiC及GaN单晶市场有望扩大 2015年分别达到300及575亿日元
据日经BP社报道,日本矢野经济研究所公布了电子部件等使用的SiC及GaN等单晶的市场调查结果。被该研究所称为功能性单晶的宽禁带半导体用单晶以及非线性光学晶体等,大多尚未达到实用和量产水平。不过,预计今后市场有望扩大的是SiC以及GaN...
分类:行业趋势 时间:2007/11/14 阅读:885
Toshiba打造GaN功率场效应管,应用于Ku波段中高功率输出
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHzto18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
分类:名企新闻 时间:2007/10/30 阅读:561 关键词:Toshiba
日本信息通信研究机构(NICT)与富士通研究所的研究小组试制出了截止频率达190GHz、振荡频率达到227~241GHz的GaN类HFET,据称这些特性达到了“世界水平”。NICT就此次的研究在2007年9月16~21日于美国拉斯维加斯举行
分类:新品快报 时间:2007/10/24 阅读:1044
丰田研究成果:AlGaN/GaN HFET导通电阻降至50mΩ·cm2
丰田中央研究所和丰田汽车的研究小组日前试制出了导通电阻降至50mΩ·cm2、可实现常关(NormallyOff)工作的AlGaN/GaNHFET。原来的HFET的导通电阻为8500mΩ·cm2,新试制品的导通电阻约为原产品的1/170。作为混合动力
分类:业界要闻 时间:2007/10/11 阅读:1525
华灿光电订购Thomas Swan CCS反应室生产高亮GaN LED
2007年7月17日,新成立的武汉华灿光电(HCSemiTek)公司已收到并交付使用其台19×2英寸ThomasSwanCCS™MOCVD设备,该设备将安置于华灿在武汉的新厂房里,用于生产高亮(HB)GaNLED。华灿称,公司的战略
分类:新品快报 时间:2007/9/5 阅读:1663 关键词:CCS
日前,VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光SMDLED,这些器件以低于标准InGaN蓝光LED的价格提供了高效的InGaN技术。该VLMB41XX系列中的六款新型SMD
日前,设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RFMicroDevices,Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W~120W的功率性能以及超宽的可调带宽,
分类:新品快报 时间:2007/6/18 阅读:1236 关键词:晶体管
Vishay新系列超亮白光SMD LED采用高效InGaN技术
Vishay日前宣布推出新系列超亮白光SMDLED,这些器件采用高效的InGaN技术,可在0603的占位面积上实现出色的亮度。凭借1.6mmx0.8mmx0.6mm的尺寸,新型VLMW1100系列白光LED可实现具有更高性能、更高设计灵活性及增强型
安捷伦科技公司日前宣布在3GSM上展示一种全新的非许可移动接入/通用接入网(UMA/GAN)测试功能。该功能不仅价格极其低廉,而且非常容易使用。这个业界首款台式UMA/GAN综合测试解决方案最初将通过预订服务,提供给签订了E6720A年度合同的A...
分类:新品快报 时间:2007/3/26 阅读:137 关键词:安捷伦