TOREX低导通电阻，高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02013R、XP232P05013R
XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。 封装组件均采用了小型SOT-323...
分类：新品快报 时间：2020/4/16 阅读：2192 关键词：电阻
Power Integrations宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司（纳斯达克股票代号：POWI 今日宣布，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压...
4月8日，华为在国内推出P40系列5G手机。其中，P40 Pro+不仅搭载了多达7个摄像头，还采用了华为迄今的手机CMOS传感器(简称CIS)，引发消费者热议。此前，小米发布的小米10系...
分类：行业趋势 时间：2020/4/14 阅读：5645 关键词：CMOS
4月8日，华为在国内推出P40系列5G手机。其中，P40 Pro+不仅搭载了多达7个摄像头，还采用了华为迄今的手机CMOS传感器(简称CIS)，引发消费者热议。此前，小米发布的小米10系...
分类：业界动态 时间：2020/4/10 阅读：1243 关键词：CMOS传感器
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线– 中国上海，2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN190...
英飞凌推出搭载COT引擎的OptiMOS IPOL稳压器，拥有更强的瞬态响应能力和简化设计
英飞凌科技股份公司推出搭载恒定导通时间（COT）引擎的全新集成式负载点（IPOL）稳压器系列，其中包含IR3887M、IR3888M和IR3889M。该产品系列专为当今需要高效率和高密度的服务器、基站和电信（在85℃环境温度下运行）以及存储应用而设计...
TOREX - XP231N0201TR（30V耐压）, 低导通电阻，高速开关 扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容
特瑞仕半导体株式会社开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。 此次发售的产品，是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电...
分类：名企新闻 时间：2020/3/17 阅读：1662 关键词：MOSFET
东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能［1］，其中...
分类：新品快报 时间：2020/3/11 阅读：1733 关键词：东芝
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）M...
性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）成功开发出满足效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列产品可带来的功...
分类：新品快报 时间：2020/3/11 阅读：1377 关键词：英飞凌
Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的输出电容(Coss)。 SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON...
分类：名企新闻 时间：2020/3/5 阅读：1161 关键词：儒卓力
英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来可靠性和性能水平
近日，英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内...
分类：新品快报 时间：2020/2/26 阅读：1503 关键词： 英飞凌
英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来可靠性和性能水平
英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、...
分类：新品快报 时间：2020/2/26 阅读：1506 关键词：英飞凌
全新600 V CoolMOS PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计
通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率...
分类：新品快报 时间：2020/2/20 阅读：1435 关键词：英飞凌
英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS源极底置25 V功率MOSFET
英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出批基于该封装概...
分类：新品快报 时间：2020/2/19 阅读：1523 关键词：英飞凌
