三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于20
根据DRAMeXchange的调查，10月上旬NANDFlash合约均价呈现部份下跌约3~5%及部份持稳的状况，虽然中国大陆长假销售情况较预期理想，但记忆卡与随身碟业者目前仍持续努力降低库存水准，以等待10月底年终假期的备货需求回温。在观望气氛下，
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NANDFlash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自20
全球NANDFlash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌9~10%，模块厂表示，NANDFlash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让NAN
根据外电报导，东芝因零售市场的NANDFlash（储存型闪存）需求疲软，明年第1季的需求动向令人担忧，故将视市场状况采取包含调整产能等所有手段来因应。模块厂主管指出，如果上游原厂能够减产，则原先预估的崩盘清况，就不会发生，大家都能...
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，9月上旬主流NANDFlash合约均价受到季底效应的影响，将下跌约5-10%。而第四季的旺季效应将在10月备货高峰期过后开始回软，使旺季效应不显着，预期4Q10NANDF
集邦科技表示，由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以...
NANDFlash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NANDFlash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NANDFlash阵营三星电子(SamsungElectroni
根据集邦科技调查，8月下旬NANDFlash合约均价部份持平及部份下跌1%到7%，因目前买卖双方看法分歧，预期NANDFlash合约价格在年终旺季备货高峰期前，仍将缓跌。集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange表示，8月
由于供货商因客户结构及接单状况不同，采取不同定价策略，使8月上旬主流NANDFlash合约价呈现涨跌互见；集邦科技(TRENDFOCE)旗下研究部门DRAMeXchang表示，针对电子系统客户进入旺季，供货商调高合约价，但记忆卡及UFD市场依旧疲软
由于供应商因客户结构及接单状况不同，采取不同定价策略，使8月上旬主流NANDFlash合约价呈现涨跌互见，集邦科技(TRENDFOCE)旗下研究部门DRAMeXchang表示，针对电子系统客户进入旺季，供应商调高合约价，但记忆卡及UFD市场依旧疲软
2010年NANDFlash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚(Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，
三星电子(SamsungElectronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletP
DRAM大厂尔必达(Elpida)和NORFlash大厂飞索(Spansion)宣布结盟，将共同开发NANDFlash技术和产品，尔必达取得相关专利，未来将以日本广岛12寸厂做为生产基地，初期从43纳米切入，未来再导入32纳米，全面抢进NANDFl
日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NANDFlash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NANDFlash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NORFlash，并为其代工的可能性。据悉，
