8月2日消息，据外媒报道，根据集邦科技（TrendForce）旗下研究机构DRAMeXchange调查，2011年第二季初NANDFlash市场价格曾经出现急涨，主要是受到3月初Apple发表iPad2的新产品上市效应，及3月中日本大地震带来缺料预
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随着消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认为8月中开始价格可止...
Q2平板电脑、智能手机出货恐拖累NAND Flash价格走势
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm为止，由于大部分买方与卖方就六月上旬NANDFlash合约价格的谈判尚未告一段落，因此六月份NANDFlash合约价将等到各家厂商价格谈定后DR
消息，集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange称，据该机构第二季各项Flash需求的调查，DRAMeXchange发现各项需求的出货成长表现较预期中表现的疲弱。DRAMeXchange指出，截自6月16日止，由于大部
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NANDFlash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NANDFlash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为。海力士相关人员表示，26纳米制程NANDFlash比重
近日消息，据韩媒报道，NANDFlash价格连续大幅滑落，写下27个月来新低。代表性的NANDFlash产品16Gb2Gx8MLC在5月下半的合约价为3.12美元，由于平板计算机需求未达预期，造成产品囤积，且大陆强化取缔非法手机产品，低容量存储
据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，5月上旬主流NANDFlash合约价下跌幅度约达2-10%，主要是受到淡季效应，客户拉货力道趋缓影响，展望后市，集邦分析，预估NANDFlash市场将自5月份起将转为供过于
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NANDFlash领域且成立合资公司IMFlashTechnologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IMF
存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NANDFlash阵营中，没有宣布要扩产的只剩下海力士，2011年平板计算机和智能型手机等应用
美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电子(
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然明年全球经济的复苏状况比市场原先预期稍缓，但先进国家市场的经济仍将持续复苏，明年下半年电子产业季节性旺季需求也可望比今年明显改善；在NANDFlash需求方面，201
彭博信息(Bloomberg)报导指出，日厂东芝(Toshiba)计划于2010年内关闭旗下4座NANDFlash厂中的1座旧世代厂房，以利将资源集中于2011年即将投产的新厂房。此外，东芝亦拟自2011年起将系统芯片生产委外，以提振获利。负责东芝
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于20
根据DRAMeXchange的调查，10月上旬NANDFlash合约均价呈现部份下跌约3~5%及部份持稳的状况，虽然中国大陆长假销售情况较预期理想，但记忆卡与随身碟业者目前仍持续努力降低库存水准，以等待10月底年终假期的备货需求回温。在观望气氛下，
