2010年第1季全球NANDFlash产业市占率中，仍以三星电子(SamsungElectronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单
4月上旬NANDFlash合约价开始小涨，16Gb容量报价上涨2~7%，其次是32Gb容量芯片报价上涨3~4%。近期NANDFlash市场再度受到苹果(Apple)iPad正式开卖，外界再度燃起了兴趣，但消费者反应iPad不能无线上网、散热不佳的问
NAND Flash控制芯片业淘汰赛登场 SSD时代加速产业整合
NANDFlash控制芯片市场曾吸引众多IC设计业者争相投入，随着快闪记忆卡市场饱和，以及固态硬碟(SSD)竞争对手环伺，过去拥有NANDFlash大厂作靠山便是票房保证的时代已不再，未来NANDFlash大厂对于控制芯片业者而言，恐怕不再是大树好
苹果(Apple)新产品iPad正式亮相，内建16GB、32GB和64GB等3种容量的固态硬碟(SSD)，可望为低迷许久的NANDFlash市场注入强心针！根据外资和市调机构估计，2010年iPad出货量将介于600万~1,000万台不等，占NAN
NANDFlash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NANDFlash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-Leve
NANDFlash市场正在经历传统淡季，整个市场都在等待系统大厂的补货效应出现。近期NANDFlash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬NANDFlash合约价持平开出。在高容量32Gb和64Gb芯片方面，由于上游NANDFlash大厂的产出有
NANDFlash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NANDFlash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-Leve
2010年NANDFlash市场高低容量芯片价格将走向两极化。其中低容量芯片受3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-LevelCell)技术成熟影响，成本可望大幅下降，产出也能大幅增加，因此价格将进一步走弱；高容量芯片受消费性电子
据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NANDFlash的产能。根据研究机构
据华尔街日报(WSJ)报导，韩国公平贸易委员会(FTC)对NANDFlash存储器大厂为期将近3年的调查即将结束，并未发现有任何操控价格的证据。此外，韩国FTC表示，至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NA
研究机构集邦科技表示，旺季效应淡化，以及年终降价促销需求，12月上旬NANDFlash合约价部分持平及部分下跌，主流MLCNANDFlash颗粒合约均价下跌约1-20%，SLCNANDFlash颗粒则维持平盘。12月NANDFlash上下游业者因年
由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单,加上原本三星电子(SamsungElectronics)供应NANDFlash数量相当有限,12月供应量控制亦开始松动,以及白牌记忆卡在市面上流通数量增加,使得淡季需求明显反映在现货及合约价上,近2个月
金士顿：DRAM价格2.5美元很健康 看好明年NAND Flash市场前景
远东金士顿(Kingston)董事长蔡笃恭指出，目前PCOEM厂对于DDR2和DDR3货源都很缺，产业链库存水位不高，预计到2009年底前都没有淡季，展望2010年存储器产业，NANDFlash市场受惠终端应用多元化发展，包括手机应用起飞和固态硬碟
力晶成立TFC反将TIMC一军 抛出NAND Flash深水炸弹规划投入200亿元
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日截止日期，却出现戏剧性变化！台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画；而力晶更是突然宣布成立TFC(TaiwanFlashCompany)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NANDFla
随着全球经济可望在2010年复苏，明年各种NANDFlash的终端应用产品的出货量也将转为成长；研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NANDFlash，预估2010年全球NANDFlash将出现缺
