离子注入是半导体器件和集成电路生产的关键工艺之一,其提供的高精度和高均匀性可以大幅度提高集成电路的成品率,因此,离子注入机与光刻机、刻蚀机和镀膜设备并称为芯片制...
分类:业界动态 时间:2023/8/25 阅读:460 关键词: 离子注入
“芯”产业成为房地产公司万业企业的转型方向。万业企业近期公告,拟通过发行股份和现金购买等方式,作价9.7亿元收购凯世通100%股权,从而涉足集成电路产业。 8月6日,在公司资产重组说明会上,万业企业董事长朱旭东表示,本次交易...
分类:业界动态 时间:2018/8/7 阅读:372 关键词:离子注
应用材料公司今天宣布全新推出AppliedVarianVIISta?9003D系统。作为业内的中电流离子注入设备,该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3DNAND制程而开发,具有超凡的控制能力...
分类:名企新闻 时间:2014/7/7 阅读:1094
由北京中科信电子装备有限公司自主研发的300mm/65nm大角度离子注入机进入中芯国际(北京)集成电路制造有限公司,开始接受国际主流生产线的技术测试与器件工艺检验,为这一国产集成电路制造装备实现重大技术跨越作的冲刺。据了解,这是国产...
分类:业界要闻 时间:2010/11/25 阅读:295 关键词:生产线
FSI国际的ZETA系统ViPR工艺被确定为CMOS应用中超高剂量离子注入的一项关键技术
全球IC制造晶圆清洗系统厂商FSI国际有限公司日前发布了一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文,该论文证实了带有ViPR技术的ZETA喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂(P
分类:名企新闻 时间:2008/6/30 阅读:948 关键词:CMOS
离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150~250keV的能量注入磁性离子,然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入
Axcelis在SEMICON Japan 2007期间推出新款单晶圆高能离子注入设备
AxcelisTechnologies在SEMICONJapan2007期间推出的新款OptimaXE单晶圆高能离子注入设备,是AxcelisOptima单晶圆系列一款产品。OptimaXE所提供能量范围从10keV到4MeV,它所具有的灵活性
分类:名企新闻 时间:2007/12/4 阅读:801
半导体制造设备供应商AxcelisTechnologies,Inc.日前宣布,公司再次自一家亚洲大型芯片制造商获得了一台OptimaHD高剂量注入设备的订单。据悉,该设备将于今年首季度出货。据称,这家芯片制造商对此前采购的Axcelis的Optim
国家集成电路制造装备“100nm高密度等离子刻蚀机与大角度离子注入机”项目新闻发布会暨产品销售签约仪式在京召开
2006年9月28日,国家“十五”863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子刻蚀机和大角度离子注入机”项目新闻发布会暨产品销售签约仪式在京西宾馆举行,中共中央政治局委员、北京市委书记刘淇,国家科学技术部部长徐冠华、副部...
时间:2007/4/10 阅读:422