东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种，结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片，这是市场上密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开

分类：名企新闻 时间：2008/11/6 阅读：798

东芝发布43nm的SLCNAND闪存满足嵌入式应用需求

东芝日前宣布推出43nm单层存储单元(SLC)的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16种系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种，结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片，这是市场上密度的芯片。新产品将从2009年第1季

分类：名企新闻 时间：2008/10/31 阅读：572

美国飞索委托中芯国际生产43nm“ORNAND2”

美国飞索（Spansion）美国时间2008年8月21日宣布，将扩大与中国中芯国际（SemiconductorManufacturingInternationalCorp.，SMIC）有关闪存生产委托的合同协议（英文发布资料）。此前委托生产的是采用

分类：名企新闻 时间：2008/8/28 阅读：744

Spansion与中芯国际深化合作 新添43nm制程MirrorBit ORNAND2

全球的纯闪存解决方案供应商Spansion宣布扩大与中芯国际目前的合作协议，在生产65nmMirrorBitNOR产品的基础上，增加基于300mm晶圆的43nmSpansionMirrorBitORNAND2闪存产品。借助中芯国际的制

分类：名企新闻 时间：2008/8/25 阅读：610

Spansion与中芯国际的合作协议新添43nm制程MirrorBit ORNAND2技术

全球的纯闪存解决方案供应商Spansion日前宣布扩大与中芯国际(SMIC)目前的合作协议，在生产65nmMirrorBitNOR产品的基础上，增加基于300mm晶圆的43nmSpansionMirrorBitORNAND2闪存产品。借助中芯国

分类：名企新闻 时间：2008/8/25 阅读：280

罗门哈斯电子材料购193nm浸没式光刻设备

RohmandHaasElectronicMaterials（罗门哈斯电子材料公司）将在前沿光刻设备方面投资6000万美元，为其用于半导体芯片制造的先进193nm光刻胶以及抗反射涂敷材料研发提供支持。作为此项投资的一部分，RohmandHaasEl

分类：业界要闻 时间：2007/7/2 阅读：3587