据三星官方消息，三星宣布量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM，该DRAM已针对未来智能手机中的5G和AI功能进行了优化。此外三星还计划本月末开始批量生产12GB的LPDDR5封装，每个封装都包含8个12Gb芯片，以满足高端智能手机制造商对更高智能手机...
分类：新品快报 时间：2019/7/19 阅读：1345
依靠着内存价格的走高，三星连续两年超过英特尔成为半导体行业的老大，但近期NAND闪存和DRAM内存价格的波动让三星的位置开始变得不那么稳定。 根据TrendForce存储器储存...
继三星和美光之后，韩国存储器大厂SK海力士也决定放缓大陆无锡DRAM新厂原订每月高达18万片产能的增产脚步。 SK海力士原本计划于今年的第3季度，全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造工厂，建设完成后将采用产先进的10nm级DRA...
国产DRAM内存：采用19nm工艺制造，不比三星、镁光差多少
说起国产芯片，大家都知道较之国际水平，是相对较落后的，尤其是芯片制程上，比之国际水平，差不多有3代的差距。 比如目前中芯国际的水平是28nm、华虹半导体的水平也是28nm，而台积电已经迈入7nm时代，甚至最近还传出正式启动2nm工艺...
在动态随机存取内存（DRAM）工艺陆续进入1X及1Y工艺领域之后，全球 DRAM 龙头韩国三星21日宣布，首次业界开发第3代10 纳米等级（1Z 纳米工艺）8GB 高性能 DRAM。这也是三星...
三星电子于21日发表，成功开发出第三代10纳米级（1z）8GbDDR4DRAM，预计下半年量产。 据《ZDNetKorea》报导，三星电子表示，在二代10纳米级（1y）DRAM量产后，相隔16个月成功开发出10纳米级（1z）DRAM，并成功克服史上细微工艺的...
分类：新品快报 时间：2019/3/25 阅读：805
在动态随机存取内存(DRAM)工艺陆续进入1X及1Y工艺领域之后，全球 DRAM 龙头韩国三星21日宣布，首次业界开发第3代10 纳米等级(1Z 纳米工艺)8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米工艺 DRAM 之后，经历 16 个月，再开发出更先进工艺的 D...
据三星电子官网消息，作为先进存储器技术的全球，三星电子今(21)日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)...
分类：名企新闻 时间：2019/3/25 阅读：1056
由于DRAM市况不佳，近期各研究机构纷纷调降相关厂商的运营预估值，DRAM三巨头三星、海力士、美光无一幸免。其中，美国投资银行Piper Jaffray本月宣布调降美光科技2019年、2...
由于DRAM市况不佳，近期各研究机构纷纷调降相关厂商的运营预估值，DRAM三巨头三星、海力士、美光无一幸免。其中，美国投资银行Piper Jaffray本月宣布调降美光科技2019年、2020年的获利和营收预期，并表示产业趋势可能更糟。 彭博数...
分类：业界动态 时间：2019/3/22 阅读：872
目前，存储器市场以NAND Flash和DRAM为主，但是对于下一代新型存储器的探索一直持续不断。近期，存储器市场龙头企业陆续推出eMRAM的相关技术，作为企业的风向标，此举动是...
分类：新品快报 时间：2019/3/22 阅读：1602
据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指，今年以来DRAM内存价格大幅下跌，其估算一季度的跌幅从预期的25%扩大至30%，这对于依靠存储芯片取得了全球半导体老大位置的三星来...
分类：业界动态 时间：2019/3/6 阅读：2767
10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM，目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度，追赶三星，预计2019年起将陆续展开...
与台积电在7nm节点抢先完成布局不同，三星在7nm节点要慢了一些，上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产，很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺，没有使用过渡工...
近日，有媒体称2019年内存售价降下降一至二成，受到这一消息影响，三星开始削减存储芯片的扩产计划。 根据此前的报道，今年三季度以来，内存市场价格已经下降一成，而四季度还将在下降，到明年年初，闪存市场还有25%-30%的降幅。受...
