在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，三星电子正积极采取措施重塑其在该领域的领先地位。近期，三星在第六代 DRAM（1c 节点）良率方面取得了重要突破，这一进展不仅为其...
分类：业界动态 时间：2025/6/5 阅读：254 关键词：三星 DRAM
外媒报道显示，得益于向英伟达大量供应高带宽存储器（HBM），SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升，进而推动了整体业绩增长。 市场研究机构发布的最新报告表明，在强劲的 ...
分类：业界动态 时间：2025/6/5 阅读：174 关键词： DRAM
三星豪投 HBM4，借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主
近日，有消息传出，三星正通过激进投资策略，试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距，挑战其霸主地位。 科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道，三星计划在韩国华城...
据 digitimes 援引供应链消息，NVIDIA 正面临多方危机。因 H20 降规芯片禁销中国，NVIDIA 不得不在季报中认列 55 亿美元损失。为应对这一局面，首席执行官黄仁勋在美中双边...
分类：业界动态 时间：2025/5/13 阅读：398 关键词：NVIDIA
根据媒体报道，在 DRAM 市场竞争日益激烈的当下，三星电子明确了其下一代技术发展方向。据悉，三星已决定在第七代 10nm 级 DRAM 内存工艺（1d nm）之后，引入垂直通道晶体...
根据外媒报道， SK Hynix超过了三星电子产品，成为全球DRAM市场的领导者。这一发展标志着SK Hynix在今年第一季度的全球DRAM销售额36％的市场份额，这是一个关键时刻，并淘...
分类：业界动态 时间：2025/4/14 阅读：522 关键词：SK hynix
三星电子芯片部门主管上周访问英伟达，展示新设计1b DRAM样品
根据外媒的报道，三星电子副会长兼联席CEO、负责存储芯片和晶圆代工等芯片业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉（Jun Young Hyun），最近访问了英伟达总部。全永鉉此行主...
分类：业界动态 时间：2025/2/21 阅读：319 关键词：三星电子
据机构预计，今年第一季度三星电子的DRAM销售额将大幅萎缩。由于整体IT需求疲软，DRAM供给减少，HBM销售比重的大幅下降，使得DRAM ASP(平均销售价格)较上一季度出现两位数...
分类：业界动态 时间：2025/2/5 阅读：407 关键词：三星
据报道，三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线，预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚，但业内估计，试验线的月产能通常...
三星电子已开始建立一条测试线，以提高其第七代 (1d) DRAM 的产量，该内存是领先两代的 10 纳米（纳米，十亿分之一米）水平的存储器。此举被解读为在失去在包括高带宽内存...
SK海力士报告称，其D-RAM市场份额显着增加，并对半导体设施进行了大量投资，反映出高价值内存产品推动的性能强劲复苏。 今年1月至9月，SK海力士在半导体补充投资上投入...
新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力 今年将携手主要GPU客户进行验证，并计划于明年年初投入生产 ...
分类：新品快报 时间：2024/10/17 阅读：314 关键词：三星GDDR7 DRAM
人工智能的快速发展，全球DRAM市场预计将超越晶圆代工行业，全球内存芯片制造商三星电子和SK海力士正在扩大其动态随机存取存储器业务。据业内人士周一首尔透露，全球内存芯...
三星和 SK 海力士专注于 HBM 生产；DDR5 DRAM 价格上涨
内存公司三星电子和 SK 海力士正专注于生产面向人工智能的高带宽内存 (HBM)，导致通用 DDR5 DRAM 价格上涨。这是由于大量晶圆分配给 HBM 生产，限制了高规格 DDR5 DRAM 的...
NEO Semiconductor今天宣布，将推出用于 3D X-DRAM 的性能提升浮体单元机制（Floating Body Cell Mechanism）。该公司创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在 2024 年韩国首尔第 1...
