近日，有消息传出，三星正通过激进投资策略，试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距，挑战其霸主地位。
科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10nm 级）的生产规模，相关投资将在年底前启动。这一举措显示了三星在 HBM4 市场的决心和野心。
与竞争对手不同的是，SK 海力士和美光选择 1b DRAM 作为 HBM4 的基础技术，而三星则大胆押注更先进的 1c DRAM。这一决策表明三星对自身技术实力充满信心，有把握提升 1c DRAM 的良率。此外，还有消息称，三星考虑在今年底前将华城 17 号生产线从 1z DRAM 转为 1c DRAM 生产，以进一步扩大产能。
事实上，三星在 1c DRAM 领域早有布局。今年早些时候，三星已在平泽第四园区（P4）启动了首条 1c DRAM 生产线，目标月产能为 3 万片晶圆。若后续扩建计划顺利实施，月产能有望提升至 4 万片。这将为三星在 HBM4 市场的竞争提供有力的产能支持。
除了产能方面的布局，三星在技术研发上也取得了重要进展。韩媒 Chosun Biz 在 4 月报道，三星用于 12 层 HBM4 的关键组件 ——4nm 逻辑芯片，已在测试生产中实现超过 40% 的良率。这一成果为三星 HBM4 产品的大规模生产和市场推广奠定了坚实的基础。
从市场趋势来看，集邦咨询 TrendForce 预测，受人工智能、数据中心等领域对高性能内存的强劲需求推动，2026 年 HBM 总出货量将突破 300 亿吉比特。其中，HBM4 将在 2026 年下半年超越 HBM3e，成为市场主流解决方案。这意味着 HBM4 市场具有巨大的发展潜力，三星此时的激进投资无疑是为了抢占市场先机。
目前，SK 海力士在 HBM 市场占据主导地位。2024 年，SK 海力士在 HBM 市场的份额高达 80%，三星则以 20% 的份额紧随其后。三星此次通过激进投资 HBM4 并押注 1c DRAM，旨在提升自身市场竞争力，缩小与 SK 海力士的差距，甚至有可能挑战其霸主地位。
然而，三星的这一策略也面临着一定的风险。提升 1c DRAM 的良率并非易事，需要投入大量的研发资源和时间。如果三星不能按时实现良率目标，可能会影响其 HBM4 产品的推出时间和市场竞争力。此外，市场竞争也十分激烈，SK 海力士和美光等竞争对手也不会坐视不管，它们可能会加大研发和生产投入，以保持或扩大自己的市场份额。
总的来说，三星激进投资 HBM4 并押注 1c DRAM 的策略，是其在高性能内存市场的大胆尝试。未来，三星能否凭借这一策略成功挑战 SK 海力士的霸主地位，还有待市场的检验。
