三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2024-12-24 13:50:27 | 450 次阅读

  据报道,三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线,预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚,但业内估计,试验线的月产能通常约为10000片晶圆。
  三星计划于2025年开始量产1c DRAM,随后于2026年开始量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做准备的同时建立这条试验线的决定反映出其积极的发展战略。
  业内人士称,新任三星设备解决方案(DS)负责人全英铉(Young-Hyun Jun)的技术背景使他能够直接管理三星的存储技术,从DRAM等核心业务开始,在DS部门内实施重大改革。与此同时,三星也在加大对NAND闪存技术的投资。
关键词:三星DRAM

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