IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压和高电流的控制。以下...
基础电子 时间：2024/6/24 阅读：386
导读：本文介绍的是主要要求不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联。对于20kA直流电源，若采用功率管IGBT并联，每个桥臂则至少需15只功率管并联，这...
技术方案 时间：2014/3/31 阅读：1274
摘要:基于IGBT器件,利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源.该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源&对该电源装置进行了仿真和实验!获得了...
技术方案 时间：2011/11/28 阅读：4614
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前推出业界首颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻，从而将功耗降低30%并减少由此带...
新品速递 时间：2007/12/14 阅读：1714
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻，从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能，能以小型的低电流检测电阻替代...
新品速递 时间：2007/10/9 阅读：1586
