据报道，2024 年千年技术奖（2024 Millennium Technology Prize）授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加（Bantval Jayant Baliga）教授，以表彰其发明了绝缘栅...
分类：业界动态 时间：2024/9/9 阅读：123 关键词：IGBT
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：42 关键词：IGBT
Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDu...
时间：2024/6/18 阅读：65 关键词：安森美
Sanken - 低饱和电压有助于高效率化 车载点火器用IGBT
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量（ESCIS）的同时实现低饱和电压特性。 同时，在全温度范围（?40 °C～175 °C），能维持极为...
时间：2024/5/24 阅读：49 关键词：IGBT
Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个...
分类：新品快报 时间：2024/5/22 阅读：346 关键词：电子
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：410 关键词：电子
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采...
分类：新品快报 时间：2024/2/27 阅读：312 关键词：英特尔
ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...
时间：2024/1/17 阅读：82 关键词：IGBT晶体管
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保...
时间：2024/1/2 阅读：239 关键词：门极驱动器
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：460 关键词：驱动器
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J ...
基础电子 时间：2024/9/5 阅读：153
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：205
区分电极 在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b...
设计应用 时间：2024/8/19 阅读：145
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压和高电流的控制。以下...
基础电子 时间：2024/6/24 阅读：374
下面以FGA25N120型IGBT为例，介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT，它有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C亦称漏极）及发射...
设计应用 时间：2024/5/10 阅读：254
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比，IGBT具有更低...
基础电子 时间：2024/1/23 阅读：509
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：622
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控...
设计应用 时间：2023/10/13 阅读：892
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
设计应用 时间：2023/10/10 阅读：899
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
设计应用 时间：2023/10/8 阅读：588
