在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用，车载充电器（OBC）便是其中的典型代表。那...
设计应用 时间：2026/6/30 阅读：391
本指南聚焦于各类高功率主流应用，旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的指导。同时，积极探索减少导通损耗与功率损耗的有效策略，以最大化提升 SiC 器件在导...
设计应用 时间：2026/6/11 阅读：800
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...
设计应用 时间：2026/5/22 阅读：632
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：501
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势
在当今电子技术飞速发展的时代，功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较...
设计应用 时间：2025/6/26 阅读：611
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...
设计应用 时间：2025/6/24 阅读：437
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
设计应用 时间：2025/6/19 阅读：785
揭秘 SiC 市场新爆点：共源共栅（cascode）结构深度剖析
在 SiC（碳化硅）市场蓬勃发展的当下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中展现出了诸多优势。今天，我们将深入探讨 Cascode 结构，探寻其在 SiC 市场成为下一个爆点的潜力。Cascode 简...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：583
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：544
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400V 或 800V 高压直流（HVDC）输入转换为低压直流（LVDC）输出。该辅助电源在故障条件下...
设计应用 时间：2025/5/8 阅读：704
