MOS技术资料-维库电子市场网【第9页】

我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...

设计应用时间：2024/8/13 阅读：387

氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻（RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...

设计应用时间：2024/8/6 阅读：146

1.用指针式万用表检测　　判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。　　（1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...

设计应用时间：2024/6/19 阅读：163

“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...

设计应用时间：2024/6/14 阅读：354

绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...

设计应用时间：2024/6/11 阅读：720

在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...

设计应用时间：2024/6/6 阅读：312

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...

新品速递时间：2024/6/5 阅读：302

碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...

基础电子时间：2024/5/31 阅读：300

新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400...

新品速递时间：2024/5/24 阅读：1243

新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与...

新品速递时间：2024/5/24 阅读：761

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