DRAM内存

DRAM内存资讯

合肥长鑫DRAM内存芯片建成投产 总项目投资约1500亿元

合肥长鑫在合肥市举办的2019全球加工业交流会上,公布总项目投资约1500亿元的储存内存芯片独立生产制造新项目建成投产。合肥长鑫当场展现了8Gb?DDR4集成ic,选用19纳米技术加工工艺生产制造,和国际性流行DRAM加工工艺基础维持同歩,1期...

分类:名企新闻 时间:2019/9/23 阅读:1294 关键词:DRAM内存芯片

DRAM内存价格“滑坡”,三星、美光等企业持续承压

依靠着内存价格的走高,三星连续两年超过英特尔成为半导体行业的老大,但近期NAND闪存和DRAM内存价格的波动让三星的位置开始变得不那么稳定。  根据TrendForce存储器储存...

分类:业界动态 时间:2019/7/3 阅读:1696 关键词:DRAM内存三星美光

国产DRAM内存:采用19nm工艺制造,不比三星、镁光差多少

说起国产芯片,大家都知道较之国际水平,是相对较落后的,尤其是芯片制程上,比之国际水平,差不多有3代的差距。  比如目前中芯国际的水平是28nm、华虹半导体的水平也是28nm,而台积电已经迈入7nm时代,甚至最近还传出正式启动2nm工艺...

分类:业界动态 时间:2019/6/18 阅读:860 关键词:DRAM内存19nm工艺

DRAM内存年底重新涨价!NAND闪存已跌破成本

不论是全球半导体市场还是国内半导体市场,今年Q1季度都出现了下滑的趋势,根据SIA数据显示,2019年季度全球半导体市场同比下降了5.5%。根据中国半导体行业协会统计,2019...

分类:维库行情 时间:2019/5/24 阅读:3467 关键词:NAND闪存

国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料

不论是NAND闪存还是DRAM内存,国内市场几乎都是100%依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过1000亿美元,所以国内近年来集中力量发展存储芯片。  在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存,DRA...

分类:业界动态 时间:2019/5/16 阅读:684 关键词:DRAM内存

力晶:美国力阻中国发展DRAM内存,明年内存恐缺货涨价

台湾台湾半导体协会昨天举行2018 TSIA年会,邀请了台湾半导体行业内的大腕出席,其中台积电联席CEO魏哲家主持会议,还有联发科董事长蔡明介、联电总经理简山杰、力晶执行长黄崇仁等,其中力晶创始人、执行长黄崇仁谈到了内存产业的一些动...

分类:业界动态 时间:2018/11/28 阅读:663 关键词:DRAM内存

韩媒:韩国公司已占DRAM内存芯片市场份额的75%

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口。在存储芯...

分类:业界动态 时间:2018/11/20 阅读:614 关键词:DRAM内存芯片

DRAM内存价格急跌,南亚营收下滑16%,但全年还是大赚

在DRAM内存涨价超过9个季度之后,内存芯片价格终于在10月份大跌了一次,DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%,预计2019年还会继续跌20%,受此影响,全球第四大内存芯片...

分类:业界动态 时间:2018/11/7 阅读:507 关键词:DRAM内存

美光暗示明年DRAM内存不会大降价,但NAND产能肯定会削减

美光之前收购了华亚科公司将其变为全资子公司,台湾地区的晶圆厂也成为美光最重要的内存生产基地,上周末美光在台湾宣布投资16亿美元扩建后段封装厂,建成后将垂直整合美光台中及桃园工厂的DRAM产能。美光副总裁Manish Bhatia在媒体活动...

分类:维库行情 时间:2018/10/29 阅读:2121 关键词:NAND产能美光

DRAM内存持续走低,三星暂停扩产计划

近日,有媒体称2019年内存售价降下降一至二成,受到这一消息影响,三星开始削减存储芯片的扩产计划。   根据此前的报道,今年三季度以来,内存市场价格已经下降一成,而四季度还将在下降,到明年年初,闪存市场还有25%-30%的降幅。受...

分类:名企新闻 时间:2018/10/15 阅读:497 关键词:DRAM内存三星

DRAM内存技术

三星DRAM内存市场将在2007年重新崛起

内存行业活脱脱一个春秋战国翻版,背后有韩国政府强力资金和行政支持的三星就如当年的强秦,美国镁光和日本尔必达大体相当于春秋时期的大诸侯国齐国和魏国,台系众多DRAM厂家则相当于当时的小诸侯国。和春秋战国不同的是,强秦吞并小国,...

其它 时间:2011/9/2 阅读:1265

LSI推出PowerPC 476 MCU内核和高速嵌入式DRAM内存模块

LSI公司日前宣布推出具有多核功能的PowerPC476微处理器内核和高速嵌入式DRAM内存模块,进一步丰富了其业界领先的定制芯片IP产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID存储器、服务器以及基站等高...

新品速递 时间:2010/2/3 阅读:3842

ST 推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(纽约证券交易所:STM)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR...

新品速递 时间:2007/12/20 阅读:1545

ST推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(纽约证券交易所:STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速...

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1271

意法推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1509

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

新品速递 时间:2007/11/20 阅读:1490

ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器STTS424

ST推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快,但是内存过热的风险也随之增加。温度...

新品速递 时间:2007/11/13 阅读:1364

ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器

意法半导体推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快,但是内存过热的风险也随之增...

新品速递 时间:2007/10/10 阅读:1633

意法半导体推出新的DRAM内存模块标准专用温度传感器

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(ST)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输...

新品速递 时间:2007/9/30 阅读:1668

ST 推出DRAM内存模块标准专用温度传感器

意法半导体(ST)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快,但是内存过热的风险...

新品速递 时间:2007/9/29 阅读:1343

DRAM内存产品