NXP/恩智浦
BSH111
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchMOS™
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 335mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 4 欧姆 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 40pF @ 10V
功率 - *大值 830mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
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