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代理新洁能NCE0140KA 中高压MOS管

型号/规格：
NCE0140KA
品牌/商标：
NCE
封装形式：
TO-252
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
PDF资料：
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普通会员

企业名：深圳黄金树科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-33160613

手机：13510537787

联系人：何小姐

QQ：

邮箱：sale01@goldtreeic.com

地址：广东深圳深圳市龙华新区清祥路清湖科技园B栋627-628室

产品分类

集成电路(IC)(1)
∟ 其他IC(1)
二极管(2)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)∟ 开关二极管(1)
场效应管MOSFET(17)
∟ MOSFET(16)∟ 其他场效应管模块(1)

新品上架

商品信息

深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET，IC 集成电路，桥堆二三极管可控硅等电子产品，产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电，新能源，汽车电子等高科技行业，并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。我们本着“诚信经营，互惠互赢”的理念贯穿供应，销售，服务的始终。我们始终将“创新，进取，诚信合作，品质优先，客户至上，服务至上”作为商务合作发展的基石，愿我们持续，共同发展！深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商，成立于深圳龙华区，主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：无锡新洁能（NCE)，江苏捷捷微（JJM),福斯特（FIRST),台湾博盛（POTENS)，优势现货品牌有UTC友顺，安森美(ON)，英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。

新洁能NCE0140KA 原装，欢迎来电咨询合作

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE0140K uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS = 100V,ID =40A

RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ)

● Special process technology for high ESD capability

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

Schematic diagram

Marking and pin assignment

TO-252-2L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

0140K

NCE0140K

TO-252-2L

-

Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

100

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

40

A

Drain Current-Continuous(TC=100℃)

ID (100℃)

28

A

Pulsed Drain Current

IDM

160

A

Maximum Power Dissipation

PD

140

W

Derating factor

-

0.94

W/℃

Single pulse avalanche energy (Note 5)

EAS

520

mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

-55 To 175

℃

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