您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管

杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管
杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管
  • 型号/规格:

    EMZF14R02W

  • 品牌/商标:

    杰力

  • 封装形式:

    DFN 3X3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息


杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管


双N沟道MOS管 EMZF14R02W的主要参数:


双N沟道MOS管 EMZF14R02W的极限参数:

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 20 V
栅极-源极电压 VGS ±12
漏极电流-连续 ID 9.5 A
漏极电流-脉冲 IDM 40
功耗 PD 2.1 W
温度范围 Tj,Tstg -55~150



双N沟道MOS管 EMZF14R02W的电气特性:

参数 符号 典型值 单位
漏极-源极击穿电压 V(BR)DSS 20

V
栅极开启电压 VGS(th) 0.35 0.65 1.0
栅极漏电流 IGSS

±10 μA
静态漏源导通电阻 RDS(ON)
12.5 14
输入电容 Ciss
987
pF
输出电容 Coss
139
反向传输电容 Crss
124
栅源电荷密度 Qgs
1.1
nC
栅漏电荷密度 Qgd
4.2
开启延迟时间 td(on)
10
nS
上升时间 tr
15
关断延迟时间 td(off)
40
下降时间 tf
18



双N沟道MOS管 EMZF14R02W的描述:

       EMZF14R02W是一个20V/9.5A的N沟道场效应晶体管,具有低导通电阻、低功耗、低噪声和容易制造的特点。


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 076989268116

手机:13809624202

联系人:谭平

QQ: QQ:154312370

邮箱:tanping@yushin88.com

地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9