制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 10 A

Rds On-漏源导通电阻: 14.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 40 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 3.6 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.83 mm  

长度: 6 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 66 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 6.5 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9.7 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 21 ns  

典型接通延迟时间: 7.2 ns  

零件号别名: SP001556226

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