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:晶体管 IXFK150N15

供应:晶体管  IXFK150N15
供应:晶体管  IXFK150N15
  • 型号/规格:

    IXFK150N15

  • 品牌/商标:

    IXYS

  • 封装形式:

    TO-264-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

金牌会员 第 10
  • 企业名:深圳市金嘉锐电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-22929859

    手机:13530907567

    联系人:朱先生 周先生 李小姐

    QQ: QQ:2581021098

    微信:

    邮箱:2581021098@qq.com

    地址:广东深圳深圳市振兴路华康大厦2栋211

产品分类
商品信息

深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应:IXFK150N15

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 150 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 560 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HyperFET

封装: Tube

高度: 26.16 mm  

长度: 19.96 mm  

系列: IXFK150N15  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.13 mm  

商标: IXYS  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 10 g


制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 150 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 560 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HyperFET

封装: Tube

高度: 26.16 mm  

长度: 19.96 mm  

系列: IXFK150N15  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.13 mm  

商标: IXYS  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 10 g


联系方式

企业名:深圳市金嘉锐电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-22929859

手机:13530907567

联系人:朱先生 周先生 李小姐

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地址:广东深圳深圳市振兴路华康大厦2栋211

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