制造商:  

NXP  

产品种类:  

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管  

RoHS:  

 详细信息  

晶体管极性:  

N-Channel  

技术:  

Si  

Vds-漏源极击穿电压:  

68 V  

增益:  

18 dB  

输出功率:  

4 W  

工作温度:  

- 65 C  

工作温度:  

+ 150 C  

安装风格:  

SMD/SMT  

封装 / 箱体:  

PLD-1.5-3  

封装:  

Cut Tape  

封装:  

MouseReel  

封装:  

Reel  

配置:  

Single  

高度:  

1.83 mm  

长度:  

6.73 mm  

工作频率:  

2 GHz  

系列:  

MW6S004NT1  

宽度:  

5.97 mm  

商标:  

NXP / Freescale  

通道模式:  

Enhancement  

产品类型:  

RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量:  

1000  

子类别:  

MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压:  

12 V  

Vgs th-栅源极阈值电压:  

2 V  

零件号别名:  

935320257515

单位重量:  

280 mg

深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应： MW6S004NT1

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