制造商: Infineon
产品种类: IGBT - Standard Modules
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 225 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1.25 kW
工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: 62 mm
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500

Infineon 英飞凌 IGBT模块 现货库存，请来电咨询，0755-83952152 深圳市汶政科技有限公司

Package 762MM
Configuration Dual
Pin Count 7
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V
Mounting Screw
Category IGBT Module
Manufacturer Infineon Technologi es

企业名：深圳市汶政科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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