本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：9.5 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 C
Pd-功率耗散：47 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF520NSTRLPBF SP001551098
单位重量：4 g
特征

先进工艺技术
表面安装（IRF520NS）
低剖面通孔（RF520NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
描述
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的处理

技术实现了极低的单晶硅区导通电阻这一优点，

结合HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度

和加固的设备设计，为设计人员提供了一个极为

高效可靠的使用设备在广泛的应用中，D-pak是一

种表面安装的动力组件，能够容纳高达HEX-4的模

具尺寸。它提供了的功率能力和的可能的

电阻在任何现有的表面安装包。D2pak可用于大电

流应用，因为其内部连接电阻低，可消散多达2。在

典型的表面贴装应用中，通孔型（RF520NL）可用

于低剖面应用。

额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	9.7	A
ID @ TA = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	6.8
IDM	Pulsed Drain Current CD	38
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	3.8	W
	Linear Derating Factor	0.32	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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