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IRF3709ZSTRRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRF3709ZSTRRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRF3709ZSTRRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:87 A
Rds漏源导通电阻:7.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:17 nC
Pd-功率耗散:79 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF3709ZSTRRPBF SP001563134
单位重量:4 g

应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•无铅
好处
•VDS为4.5V时RDS(on)低
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

87®

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

62®

IDM

Pulsed Drain Current G)

350

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

79

W

PD @TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

40

 

Linear Derating Factor

0.53

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

10 lbfin (1.1Nm)

热阻

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case (J)  

–––

1.89

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

–––

40

雪崩特性

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy(£)  

–––

60

mJ

IAR

Avalanche Current G)

–––

17

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy G)

–––

7.9

mJ

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

微信:

邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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