本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：1.2 A
Rds漏源导通电阻：250毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：700 mV
Qg-萘甲酸：2.6 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
钯-功率耗散：540 mW
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
产品：MOSFET小信号
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：1.3 S
下降时间：4.8 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：9.5 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：9.7 ns
典型起始延迟时间：2.5 ns
零件号别名：IRLML2402TRPBF SP001552710
单位重量：8毫克
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型{<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
•符合RoHS，无卤素
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
一个定制的引线框已被纳入标准的SOT-23封装中，以生产具有业界尺寸的HEXFET功率MSFET。 这个被称为Micro3的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。 Micro3的薄型（<1.1mm）使它可以轻松地适应极薄的应用环境，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

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类型：贸易/代理/分销

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