本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：250 V
Id-连续直流电流：44 A
Rds上漏源导通电阻：46毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-血浆甲醛：72 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：310 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：83 S
下降时间：19 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：27 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：44 ns
典型起始延迟时间：25 ns
零件号别名：IRFP4229PBF SP001578046
单位重量：38 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值，以减少PDP维持，能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证，快速响应
•高重复峰值电流能力，确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温，以提高坚固性
•重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性

描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。 

等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。

 该MOSFET利用的处理技术来实现较低的

每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。

 该MSFET的其他功能是175°C的工作结温

和高重复峰值电流能力。 这些特性相结合，

使该MSFET成为用于PDP驱动应用的高效，坚固和可靠的器件。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VGS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	44	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	31
IDM	Pulsed Drain Current G)	180
IRP @ TC = 100°C	Repetitive Peak Current CT	87
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	310	W
PD @TC = 100°C	Power Dissipation	150
	Linear Derating Factor	2.0	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-40  to + 175	°C
	Soldering Temperature for 10 seconds	300
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10lb"in (1.1N"m)	N

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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