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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC
  • 品牌:

    AOS

  • 型号:

    AP3708

  • 封装:

    SOP8

  • 批号:

    17+18+

  • FET类型:

    参照PDF

  • 漏源电压(Vdss):

    参照PDF

  • 漏极电流(Id):

    参照PDF

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    参照PDF

  • 栅源电压(Vgs):

    参照PDF

  • 栅极电荷(Qg):

    参照PDF

  • 反向恢复时间:

    标准

  • 耗散功率:

    标准

VIP会员 第 11
  • 企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 18811873148

    手机:18811873148

    联系人:Joey蔡小姐

    QQ: QQ:2881793581

    微信:

    邮箱:2885251500@cxlydz.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

商品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AP3708
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是

此账号为年会员期,公司诚信经营,请您放心购买。深圳市创芯联盈电子有限公司属于创芯联盈(香港)有限公司,总部于2004年3月在香港创立,历经11周年,目前香港有40多人,深圳有30多人,是一家快速发展的全球化电子公司,可为客户配套一站式采购。 目前深圳子公司总办公面积270多平米,下设总经理,2个业务组,一个VIP客户部,一个产品部,一个行政部,一个财务部,一个质检部。 公司凭借10多年的营销经验及良好的业内信誉与国内100多家实力雄厚的现货库存公司签订了长期的计划销售协议,建立起多渠道的供应合作关系,主要经销的品牌有: TI(可以查询现货库存1万7000多个种类),ADI(可以查询现货库存1万8000多个种类),AVAGO(可以查询现货库存5000多个种类),MAXIM/DALLAS(可以查询现货库存1万5000多个种类),FSC/IR/VISHAY(可以查询现货24000多个种类)、MICROCHIP(可以查询现货库存5000多个种类),NXP/ON(可以查询现货库存15000多个种类),INFINEON(可以查询现货库存1900多个种类),DIODES(可以查询现货库存3500多个种类),FREESCALE(可以查询现货库存3000多个种类)等 
内存FLASH系列:SAMSUANG(可以查询现货库存1500多个种类 ),SST/ISSI(可以查询现货2700多个种类),MICRON(可以查询现货库存2600多个种类),HYNIX海力士(现代)(可以查询现货库存1200多个种类),SPANSION(可以查询现货库存400多个种类),SILICON(可以查询现货库存300多个种类),WINBOND(可以查询现货库存400多个种类)等。                                                                         公司还兼营各种无源被动器件、连接器、蜂鸣器、继电器、传感器以及诸多偏冷门、停产、类集成电路。 我们有实力的销售团队,经过全体成员的坚持不懈共同协作,在深圳、北京、上海、青岛、武汉、杭州、湖南、浙江、安徽、 江苏、云南、福建、河南、陕西、天津、辽宁、山东等地建立了稳定的销售渠道,更与多家上市企业签订了长期合作协议,深圳市大族激光科技股份有限公司,兰州长城电工股份有限公司,宁波中荣声学科技有限公司,航天通信控股集团股份有限公司等。 公司保证售出的产品符合生产厂家的质量标准,并对进货和出货均有严格防静电保护措施,并有专人跟踪服务。                    













 



                                                                                                                                              

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。

联系方式

企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 18811873148

手机:18811873148

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