AO4612场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于H桥，逆变器和其他应用。

    AO4612场效应管规格：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A，3.2A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：56 毫欧 @ 4.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：10.5nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：540pF @ 30V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    AO4612场效应管特点：

    （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

    （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

    （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

    （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

    （5）场效应管的抗辐射能力强；

    （6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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