AO4614L场效应管规格：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A (Ta), 5A (Ta)

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：30 毫欧 @ 6A, 10V, 45 毫欧 @ 5A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    用测电阻法判别场效应管的好坏：

    测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

    具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良。如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

    

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