AO3415场效应管采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极工作电压低至1.8V。 该设备适合用作负载开关应用。

    AO3415场效应管参数：

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1450pF @ 10V

    功率 - 值：1.5W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3415

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

    漏源极电压 (Vdss)：20V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

    场效应晶体管简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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