IRF7103TRPBF
INFINEON(英飞凌)
SOIC-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83663056
手机:18922803401
联系人:周先生
微信:
邮箱:2881677436@qq.com
地址:广东深圳福田区华强广场D座23楼 本公司可开13%增票和普票
IRF7103TRPBF F7103 SOIC-8
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 标准
漏源电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏极
( Id)(25°C 时):3A
不同 Id,Vgs 时的
Rds On(Maximum):130 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs
(th)(Maximum):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极
电荷 (Qg)(Maximum):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容(Ciss)(Maximum):255pF @ 25V
功率(Maximum):2.4W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7103TRPBF
HEXFET®功率MOSFET
说明
该HEXFET®功率MOSFET采用双SO-8封装,采用的工艺技术,
在每个硅区实现极低的导通电阻。这些HEXFET功率MOSFET的附加特
性是175°C结工作温度,快速的开关速度和提高的竞争力雪崩额定值。
这些优点结合在一起,使这个设计成为一个非常有效和可靠的设备,
用于各种应用。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET芯片
能力,使其适用于各种电源应用。这种双表面安装的SO-8可显著减少
板空间,并可用于磁带和卷盘。
企业名:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83663056
手机:18922803401
联系人:周先生
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邮箱:2881677436@qq.com
地址:广东深圳福田区华强广场D座23楼 本公司可开13%增票和普票