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STS6NF20V 场效应管

STS6NF20V 场效应管
STS6NF20V 场效应管
  • 型号/规格:

    STS6NF20V

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    SO-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    标准卷带

  • 功率特征:

    大功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 4001688345

    手机:18923804606

    联系人:圣禾堂客服

    QQ: QQ:800875998

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂雪岗大道1号泽润中心4F/香港物流中心:香港屯门清扬街1号世纪城市工业大厦1楼B

产品分类
商品信息

型号:STS6NF20V


制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 6 A

Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: STripFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.65 mm  

长度: 5 mm  

系列: STS6NF20V  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4 mm  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 33 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 7 ns  

单位重量: 85 mg


型号:STS6NF20V

•超低阈值栅极驱动

•100%雪崩测试

•低栅极电荷


型号:STS6NF20V

描述

该功率MOSFET系列采用意法半导体的独特技术开发而成

STripFET™工艺,专门设计用于化输入电容

和门电荷。 这使得该设备适合用作主开关

用于电信和计算机的先进高效隔离式DC-DC转换器

应用和具有低栅极电荷驱动要求的应用。


联系方式

企业名:圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 4001688345

手机:18923804606

联系人:圣禾堂客服

QQ: QQ:800875998

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂雪岗大道1号泽润中心4F/香港物流中心:香港屯门清扬街1号世纪城市工业大厦1楼B

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