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IGBT模块

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

生产企业
深圳
源头工厂
东芝原装 40QR21 GT40QR21 40A 1200V IGBT TO-247
东芝原装 40QR21 GT40QR21 40A 1200V IGBT TO-247
  • 型号/规格：

    GT40QR21

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 电流：

    40A

  • 电压：

    1200V

深圳市伟创微晶科技是一家经营电子元器件公司，具贴片备一定的实力与规模。货源直接，库存量大，一直秉承“用户，信誉，质量”作为公司的发展宗旨。 本着携手共进，互利互惠，共同发...

GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块
GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块
  • 型号/规格：

    GD300HFL120C2S_G4

  • 品牌/商标：

    HAR

  • 环保类别：

    普通型

供应GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块 GD300TLT120C2S GD300TLL120C2S GD300TLK120C2S GD300SGU120C2S GD300SGT170C2S GD300SGT120C2S GD300SGL170C2S GD300SGL120C2S GD300SGK120C2S GD300MPT65C6S GD300MNT65C6S GD300MLT60C2S GD300MLT120C2S GD300MLL120C...

逆变IGBT模块工作原理、IGBT模块LVH300G1202Z（西玛华晶）
逆变IGBT模块工作原理、IGBT模块LVH300G1202Z（西玛华晶）
  • 型号/规格：

    LVH300G1202Z

  • 品牌/商标：

    西玛华晶

  • *类别：

    无铅*型

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅*驱动器能被广泛的接受和使用，这不*是因其所具有的高输出电流驱动能力...

富士电机碳化硅混合IGBT
富士电机碳化硅混合IGBT
  • 型号/规格：

    FUJI

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • *类别：

    无铅*型

香港威柏电子(Westpac Electronics)创办於1992年，为日本富士电机(FUJI ELE*RIC)半导体器件之中国及香港地区代理。主要产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介： 富士电机早...

IGBT
IGBT
  • 型号/规格：

    600V

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • *类别：

    普通型

产品主要用于变频器、电焊机、感应加热、控制柜、太阳能、风能等。

  • 广成集团
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0731-22832891

    手机：15364208619

A8439 IGBT驱动器 闪光灯电容充电IC
A8439 IGBT驱动器 闪光灯电容充电IC
  • 型号/规格：

    A8439

  • 品牌/商标：

    Allegro

  • *类别：

    无铅*型

品牌 Allegro 型号 A8439 批号 09+ 封装 10 pin TDFN/MLP 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 数模混合信号 制作工艺 混合集成 导电类型 双*型 集成程度 中规模 规格尺寸 4X4（mm） 工作温度 0~70（℃） 静态功耗 0.01（mW） 特点 由 1 枚锂离子或 2 枚碱性/...

东芝大功率IGBT模块 MG75Q1JS50
东芝大功率IGBT模块 MG75Q1JS50
  • 型号/规格：

    MG75Q1JS50

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA

  • *类别：

    无铅*型

批号 09+10**原装 封装 75A.1200V 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双*型 集成程度 大规模 工作温度 -40~125（℃） 深圳市伟信达电子有限公司是国内市场*早的MOS－FET（SOP-8系列）元件的经销商之一，专营品牌有 VI...

大功率IGBT模块直流电源
大功率IGBT模块直流电源
  • 型号/规格：

    KAT

  • 品牌/商标：

    科安特

  • *类别：

    无铅*型

类型 直流开关电源 输入电压 单相或三相（V） 输出功率 可*（W） 产品 ISO9001 产品特点: 采用无工频变压器的开关电源技术，因而具备交、直流兼容输入功能，而且输入电压范围宽；采用*的开关电源控制技术和元器件，以及精心的设计，整机体积小、重量轻、效率...

大功率IGBT模块
大功率IGBT模块
  • 型号/规格：

    KAT

  • 品牌/商标：

    科安特

  • *类别：

    普通型

品牌 科安特 类型 直流开关电源 型号 KAT 输入电压 单相或三相（V） 输出功率 可*（W） 产品 ISO9001 if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "propertyArea"); } 产品特点: 采用无工频变压器...

IGBT模块行业资讯

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]

    深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...

  • Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...

  • 全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2023-12-14]

    适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...

  • 1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4[2023-10-13]

    PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。　　特征描述　　提高工作结温 Tvj op　　高直流电压稳定性　　高短路能力，自限制短路电流　　低开关损耗...

什么是IGBT模块?

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

  • 目录

    IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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