PM20*M060
MITSUBISHI（三菱）
普通型
供应20A600V三菱模块PM20*M060 质量*经营液晶模块/等离子/YPPD-STK-4921QP-系列平板电视模块,**原装现货 三星缓冲板IC SN755866 SN755867 SN755870 SN755882 FE3407F*IC，通讯IC，工业IC，电脑IC，家电IC，三*管，三端稳压，场效应管，肖特基/快恢复，各种集...
电话：0754-82330985
手机：18923949122
FGA15N120
FAIRCHILD（飞兆）
TO-247
普通型
直插式
散装
w
H25R1202 K25T120 FGA25N120 H20T120 H20R1202 FGA15N120 H15R120 本公司经营场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大*率管，及其它电子元件。 更多型号咨询
电话：0754-89972709
手机：15989811809
7MBR75SB060-50
SANYO（三洋）
无铅环保型
金佳盛电子，是一家综合性电子器件经销商； 公司本着“诚信”的商道，一直致力于为客户服务，公司时时刻刻关注产品质量,提供最有市场竞争力的价格。在为客户提供优质,,优越的服务,以诚信,平等与责住为企业道德观；以互利,分享,为价值观；以,品质,服务口碑立足...
电话：0754-84496059
手机：15913998825
台湾葳天
*R2045*
品牌/商标 台湾葳天 型号/规格 *R2045* 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 *性 NPN型 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT /（MHz） 集电*允许电流ICM /（A） 集电*耗散功率PCM /（W） 营销方式 拆机 产品性质 *
电话：86 0754 86674799
手机：15089115399
品牌/商标 * 型号/规格 TYN1225 P60NF06 P75NF75 IRF2807 IRF1010E IRF3710 IRF3205 控制方式 单向 *数 三* 封装材料 塑料封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 不带散热片 功率特性 *率 频率特性 高频 额定正向平均电流 25（A） 控制*触发电压 1200（V） 控制*触发电流 20（mA） 正向重复峰值电压 200（V） ...
电话：86 754 84495998
手机：13592833368
品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 材料:N-FET硅N沟道本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量*,货源充足,供应电子元气件应用范围：电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电...
电话：0754-84485397
![*SGW25N120[IGBT]](https://www.dzsc.com/uploadfile/company/381004/bp0120717095849760.jpg)
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SGW25N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 汕头市金旺电子贸易有限公司是一家长期供应电子元器件的公司；本公司主营；电解电容，二*管，三*管，场效应，桥堆，整流桥，集成电路等；欢迎新老客户联系洽谈；或;传真；...
电话：0754-89970252
品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRGPC50KD2 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:30安（μS） *间电容:30安（pF）明达电子商行是汕头市规模的电子元件供应商之一；我们享有惠的...
电话：0754-86678372
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提高工作结温 Tvj op 高直流电压稳定性 高短路能力，自限制短路电流 低开关损耗...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
