IXGN400N30A3
艾赛斯
模块
普通型
贴片式
单件包装
小功率
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 代理经销以下品牌功率半导体器件 1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。 2:德国...
电话:0512-57600323
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BTS7008-1EPP
INFINEON(英飞凌)
PG-TSDSO-14
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
中功率
概述 潜在应用•适用于驱动11 A电阻、电感和电容负载•替代机电继电器、保险丝和分立电路•适用于驱动电热塞、热负载、直流电机和配电. 基本功能R...
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72826M-50u亚银PET
72826M-50u亚银PET
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
700(mW)
供应**FASSON72826M-50u亚银PET标签,质量稳定,面向*!苏州艾利(FASSON)系列标签销售有限公司,欢迎你![]公司,是地区具有性标签印刷模切企业,公司拥有日本轮转式SERI*-50、ORTHOT*-28...
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IR/国际整流器
IRFB3207PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
深圳市鼎盛科技有限公司位于中国深圳市华强北,是一家电子元器件、二三*管等产品的经销批发的私营独资企业。诚信为本,质量,真心服务,诚实交易!是我们公司坚持不懈的宗旨。公司主要代...
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品牌:NS/国半型号:10N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:GE-N-FET锗N沟道代理各种品牌MOS,详细规格请来电查询 600V 1N60R*:0.9 2N60R*: 0.98 2N60TO-220 R*:1.05 4N60TO-220 R*:1.30 7N60TO-220 R*:1.98 10N60 TO-220 R*:2.95 900V 6N90TO-220 R*:3.85
电话:86 0512 57020726-605
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结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...
(1). 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。 (2). 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 (3). 直流输入电阻RGS 它是在漏-...