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结型场效应管

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  • 型号/规格:

    77E640

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT669

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

77E640 汽车电脑板N沟道MOS场效应管。 深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET 等)、传感器...

  • 型号/规格:

    AUIRFS4310ZTRL

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

  • 型号/规格:

    IXGN400N30A3

  • 品牌/商标:

    艾赛斯

  • 封装形式:

    模块

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 代理经销以下品牌功率半导体器件 1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。 2:德国...

  • 型号/规格:

    FDS9953A-NL

  • 品牌/商标:

    NA

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

FDS9953A-NL 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注...

  • 型号/规格:

    STF24N60M2

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220FP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    通孔

  • 包装方式:

    管件

产品编号:STF24N60M2 描述:通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP 产品属性STF24N60M2 类型 描述STF24N60M2 选择 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    美国万代

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

AOD4186结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供极低的RDS(ON)。这个装置是理想的低高压变频器的应用。AOD4186参数:VDS(V)=40VID = 35A (VGS = 10V)RDS(ON)&amp;lt; 1...

  • 型号/规格:

    7N70

  • 品牌/商标:

    XY

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    中功率

深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...

  • 型号/规格:

    AOTF7N60

  • 品牌/商标:

    AO

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

深圳市汇莱威科技有限公司是一家授权、性的电子元器件代理和分销商,销售网络涵盖整个中国及海外。汇莱威科技拥有一支经验丰富、并持有创新意识和不断自我激励的团队;供应AOTF7N60 ...

  • 型号/规格:

    4N65

  • 品牌/商标:

    SEP

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 4N65 封装 TO-252批号 2023+ 配置类型 MOSFET场效应管 FET类型 N沟道漏源电压 650V 漏源电流 4A 漏源导通电阻 2.7Ω栅源电压 ±30V 栅极电荷 10.5nC工作温...

  • 型号/规格:

    MMBT5551-7-F

  • 品牌/商标:

    Diodes

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 集电极—发射极电压 VCEO:

    160 V

制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极...

  • 产品类型:

    其他

  • 品牌:

    xessco

  • 型号:

    2SK3018

  • 封装:

    贴片

  • 工作温度范围:

    标准

  • 批号:

    2016+

  • 针脚数:

    标准

  • 材料:

    其他

产品应用产品主要应用于智能科技、物联网、工业控制、家电控制、通信、医疗、航模、无线通讯、仪器仪表、汽车电子、LED智能照明等。 公司使命赛斯科秉承“互惠互利、供求双赢”的经营...

  • 型号/规格:

    IRF630NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

产品信息 场效应管 MOSFET N TOV 9.5A 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 9.3A 漏源电压, Vds: 200V 在电阻RDS(上): 300mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 4V 功耗 Pd: 82W ...

  • 型号/规格:

    MMBT5551-7-F

  • 品牌/商标:

    Diodes

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 集电极—发射极电压 VCEO:

    160 V

制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极...

  • 型号/规格:

    BC856B

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 数量:

    12500

制造商: Taiwan Semiconductor 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 封装 / 箱体: SOT-23-3 商标: Taiwan Semiconductor 产品类型: BJTs - Bipolar Transisto...

  • 型号/规格:

    FDV302P

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(仙童)

  • 封装形式:

    23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 丝印:

    302

个MOS管问题分类:如何进行MOS管p/n型的划分? 从MOS管结构示意图我们可以看出,p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参...

  • 型号/规格:

    CS1N60A1H

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

1产品概述:硅N沟道增强VDMOSFETs,CS1N60A1H,获得通过自对准平面技术,减少传导损耗,提高开关性能和增强雪崩能量。可用于各种电源的晶体管系统的小型化和高效率的开关电路。产品封...

  • 型号/规格:

    IRFS230, IRFS231, IRFS232, IRFS233, IRFS23N15D, IRFS23N20D, IRFS23N20DTRL

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    金属封装

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

IRFS230 IRFS231 IRFS232 IRFS233 IRFS23N15D IRFS23N20D IRFS23N20DTRL IRFS23N20DTRR IRFS240 IRFS240A IRFS240B IRFS241 IRFS242 IRFS243 IRFS244A IRFS244B IRFS250 IRFS250A IRF...

  • 型号/规格:

    P2003BDG NIKO 252 SMD/MOS N场 25V 32A 0.02

  • 品牌/商标:

    NIKO

  • 封装形式:

    SOT-252

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    2500/盘

  • 功率特征:

    小功率

&amp;lt;友情提示&amp;gt;具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您! 全新!价格优惠!现货供应! ...

  • 型号/规格:

    DT955-7

  • 品牌/商标:

    DIODES/美台

  • 封装形式:

    SOT-223-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

DT955-7,DT955-7产品属性介绍:产品型号 DT955-7类别 分立半导体产品晶体管 双极(BJT)单双极晶体管制造商Diodes Incorporated系列 -包装 卷带(TR)晶体管类型-不同 Ib、Ic 时 Vce...

  • 型号/规格:

    FSA04N60A

  • 品牌/商标:

    IPS

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

IPS功率半導體技術和產品的提供者.先進的中高壓功率 MOSFET.主要應用於功率管理領域.目標市場為消費電子、汽車電子、家用電器和信息技術等.華南獨家代理.IPS擁有25個美國專利,由FSC,I...

结型场效应管行业资讯

  • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

  • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

什么是结型场效应管?

  •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
  • 结型场效应管

结型场效应管技术资料

  • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

  • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

    1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

  • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

    (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

  • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数

  • 3DJ系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。  3DJ列场效应管主要特性参数

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