SMD(SO)/表面封装
SI2301/SI2302
0.5
N-FET硅N沟道
桂微牌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
1000
企业名：桂林斯壮微电子有限责任公司
类型：生产型 贸易型
电话： 8607735858088
手机：5858088
联系人：李勇
地址：广西中国广西桂林市桂林市六合路98号
GM603
SOT-23場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N沟道增强型MOS场效应管
■MAXIMUM RATINGS*大額定值
Characteristic
特性參數
| Symbol
*號
| Max
*大值
| Unit
單位
|
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
| BVDSS
| 20
| V
|
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
| VGS
| 10
| V
|
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
| ID
| 3
| A
|
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
| IDM
| 10
| A
|
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲25℃
| PD
| 1000
| mW
|
Junction
結溫
| TJ
| 150
| ℃
|
Storage Temperature
儲存溫度
| Tstg
| -55to 150
| ℃
|
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