| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL1104S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 10（V） |
| 夹断电压 | 40（V） | 跨导 | 0（μS） |
| *间电容 | 3445（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| *大漏*电流 | 1040（mA） | *大耗散功率 | 2400（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 8 毫欧 @ 62A, 10V |
| 40V |
| 104A |
| 1V @ 250µA |
| 68nC @ 4.5V |
| 3445pF @ 25V |
| 2.4W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 管件 |
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