HUF75842P3
N-FET硅N沟道
S/开关
FAIRCHILD/仙童
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
HUF75842P3,TO-220,DIP/MOS,N场,150V,43A,0.042Ω
产品型号:HUF75842P343A
150V, 0.042 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET
封装:TO-220
品牌:FAIRCHILD
产品特性
* 超低通态电阻
* rDS(ON) = 0.040Ω,VGS = 10V
* 仿真模型
* 温度补偿式PSPICE®和SABERTM电气模型
* SPICE和SABER热阻抗模型
* 峰值电流与脉宽曲线
* UIS额定值曲线
应用场景
* AC-DC商用电源-服务器和工作站
* 工作站
* 服务器和大型机
采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度
摘要
高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应
用至关重要,这是因为通过将肖特基整流替换为同步整
流 MOSFET 能够显著提高效率和功率密度。同步整流
MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印制电路板的寄生
元件都会直接影响同步整流的系统效率。优化 MOSFET
对于提高效率非常重要。采用屏蔽式栅极技术的
PowerTrench® MOSFET能够同时显著降低导通电阻和栅极
电荷(这通常是互相矛盾的)。通过软开关二极管特性
,新型功率 MOSFET 能够减少在缓冲器电路中产生额外
损耗的电压尖峰。为了提高系统效率和功率密度,本文
对新型 PowerTrench® MOSFET 的特性进行了介绍,并与
市场上的其他功率 MOSFET 进行了比较。这些 MOSFET
的优势体现在目同步整流器中的目标应用领域.
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