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场效应管 HUF75842P3,75842P

场效应管 HUF75842P3,75842P
场效应管 HUF75842P3,75842P
  • 型号/规格:

    HUF75842P3

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

HUF75842P3,TO-220,DIP/MOS,N场,150V,43A,0.042Ω

 

产品型号:HUF75842P343A

150V, 0.042 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET

封装:TO-220

品牌:FAIRCHILD

产品特性
 * 超低通态电阻
 * rDS(ON) = 0.040Ω,VGS = 10V
 * 仿真模型
 * 温度补偿式PSPICE®和SABERTM电气模型
 * SPICE和SABER热阻抗模型
 * 峰值电流与脉宽曲线
 * UIS额定值曲线

应用场景
 * AC-DC商用电源-服务器和工作站
 * 工作站
 * 服务器和大型机

 

采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度

 

摘要
高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应
用至关重要,这是因为通过将肖特基整流替换为同步整
流 MOSFET 能够显著提高效率和功率密度。同步整流
MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印制电路板的寄生
元件都会直接影响同步整流的系统效率。优化 MOSFET
对于提高效率非常重要。采用屏蔽式栅极技术的
PowerTrench® MOSFET能够同时显著降低导通电阻和栅极
电荷(这通常是互相矛盾的)。通过软开关二极管特性
,新型功率 MOSFET 能够减少在缓冲器电路中产生额外
损耗的电压尖峰。为了提高系统效率和功率密度,本文
对新型 PowerTrench® MOSFET 的特性进行了介绍,并与
市场上的其他功率 MOSFET 进行了比较。这些 MOSFET
的优势体现在目同步整流器中的目标应用领域.

 

形象墙

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

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