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场效应管 K3564,2SK3565,K3565

场效应管 K3564,2SK3565,K3565
场效应管 K3564,2SK3565,K3565
  • 漏极电流:

    2A , 5A

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    2SK3564,2SK3565,K3565

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    L/功率放大

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 极间电容:

    700 , 1150

  • 低频跨导:

    2.6S , 4.5S

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

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商品信息

产品型号:2SK3565

封装:TO-220F

标记:K3565

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1150 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):595

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

上升时间Tr(ns):70 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.

下降时间Tf(ns):170 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:900V,5A N-沟道增强型场效应晶体管

特点
.低漏源导通电阻RDS(ON)=2.0Ω(typ值)
.高正向传输导纳:|YFS|=4.5 S(typ值)
.低漏电流IDSS= 100uA(VDS =720 V)
.增强模式:VTH= 2.0-4.0 V(V DS=10 V,ID= 1毫安)

应用
.开关稳压器

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