品牌:TRU*EMI 型号:TSP8N60M 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） *间电容:参见详细说明（pF） *大漏*电流:参见详细说明（mA） *大耗散功率:参见详细说明（mW）
该产品部分相关参数如下：
VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)
ID（连续漏*电流Continuous Drain Current）: 7.5 A (@TC = 25°C)
Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 165 W（TC=25℃）
*间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)：
Ciss（输入电容Input Capacitance）：1255 pF(T*.)
Coss （输出电容Output Capacitance）：115 pF(T*.)
Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：14.2 pF(T*.)
Qg(低栅电荷Low gate charge): 30 nC(T*.)
RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 1.0 Ω(Max.)
主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为*税价！
产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提*品应用技术支持！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
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