N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF8714TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2.5W
14A
30V
企业名:深圳四海联创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
手机:13510200925
联系人:柯创林
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)14A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)8.7 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1020pF @ 15V
功率 - *大值2.5W
应用
控制MOSFET的同步降压
转换器用于笔记本电脑
处理器电源
控制MOSFET,用于隔离型DC-DC
在网络系统的转换器
优点
*低的栅*电荷
*低的RDS(ON),在4.5VVGS
*栅*阻*
充分界定雪崩电压
和电流
20VVGS*大。门等
100%测试的RG
无铅
描述
IRF8714PbF采用了*新的HEXFET功率MOSFET硅技术进入
工业标准的SO-8封装。IRF8714PbF参数进行了优化
关键的同步降压操作的Rds(on)和栅*电荷以减少传导
和开关损耗。总额减少损失,使这种产品*适合高效率的DC-DC
电源转换器,*新一代的处理器的笔记本电脑和网通的应用程序。
封装图片展示
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司