N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IR2184STRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
MOS-HBM/半桥组件
N沟道
增强型
10 V ~ 20 V
600V
1.9A
企业名：深圳四海联创电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
手机：13510200925
联系人：柯创林
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
特点
浮动通道设计为引导操作
*运作，以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从10日至20V的栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V和5V输入逻辑兼容
两个通道的匹配传播延迟
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
获得更好的噪声*降低的di / dt栅*驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A/1.8A
描述
IR2184（4）（S）是高电压，
*功率MOSFET和IGBT
依赖高和低的驱动程序
侧参考输出通道。PRO-
专有的HVIC和锁存免疫
CMOS技术使耐用的
dized单片式结构。“
逻辑输入与标准兼容
CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V
逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级设计forminimum驱动器跨导。浮动通道可以被用来驱动一个N-沟道功率MOSFET或
IGBT在高侧配置的可在*600伏。
封装图片展示
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
