CSD17576Q5B
TI德州仪器
SOP
1527
TI德州仪器
2500
1527
28500
电话:0755-83980073
手机:13556893748
MP1584EN-LF-Z
15000
MPS
高电压功率MOSFET
电话:0755-29016895
手机:15813805782
BTS3410G
INFINEON(英飞凌)
SOIC-8_150mil
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
电话:051265564717
手机:13382107513
SQ4184EY-T1_GE3
VISHAY/威世
SOP8
22+
2500/包
SMD/SMT
电话:13632227665
手机:18927491280
P4404EDG/P2504BDG
NIKO-SEM
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
中功率
电话:13686868407
手机:13686868407
NTS2101PT1G
ON
SOT323
19+
300000
电话:0755-23913140
手机:15502042052
1N60G-AA3-R
UTC
SOT223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
2500/盘
电话:0755-83238855
手机:13751159636
12N70KL
TO-220F
UTC 台湾 友顺
2019+
UTC 12N70K-MT是N通道增强模式。
电话:0755-27110669
手机:13312901268
C2M0025120D
CREE
TO-247
无铅环保型
直插式
30/管
电话:075582543065
手机:18589052006
VSON8
-55-150
2500
标准卷带
电话:075582727207
手机:18200986083
2N7002
UTC
晶体管*性:N沟道 漏*电流, Id 值:280mA 电压, Vds :60V 开态电阻, Rds(on):5ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs :2.1V 功耗:0.2W 工作温度范围:-55to 150 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(温度关注物质):Cobalt dichlo...
电话:0755-88608324
手机:
ON/安森美
NTR0202PLT1
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:86 0755 88609098
0N/安森美
MGSF1N03LT1G
放大
小功率
低频
NPN型
硅(Si)
SOT223
电话:0755-83776888
手机:13510737511
美国IPS
ITA13N60A
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-85317500
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 ...
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服务器、计算...
一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1)等效电路: 2)说明: 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 二、功率MOSFET的反向导通...
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简...