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功率MOSFET

（共找到“106”条查询结果）

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

您是不是要找： P沟道MOS管 mos管 东芝MOS管 大功率场效应管 东芝场效应管 MOS

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现货功率MOSFET／IGBT驱动IR2111
现货功率MOSFET／IGBT驱动IR2111

    品牌:IR 型号:IR2111 批号:09+ 封装:SOP/DIP8 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:中规模 规格尺寸:SOP/DIP8（mm） 工作温度:-40~125（℃） 静态功耗:*静...

    功率MOSFET(图)
    功率MOSFET(图)

      型号:UT*N60 输入电压范围:600（V） 输出功率:1.77（W） 应用范围:逆变器开关电源,电脑主板,显示卡,马达驱动,继电器驱动,蓄电池充电器,逆变器(UPS电源),车载电子设备,PDA,电子镇流器(用于日光灯,移动电话,GPS接收器)

      CR5228是高压功率MOSFET的电流模反激PW
      CR5228是高压功率MOSFET的电流模反激PW

        品牌:CR 型号:CR5228 封装:DIP8/SOP8 批号:1012 类型:其他ICCR5228是内置高压功率MOSFET的电流模反激PWM控制芯片，适用于16W以内的全电压范围离线式反激开关电源，具有*、低待机功耗、*的优点。为了*芯片正常工作，C...

        功率MOSFET IRLML6402
        功率MOSFET IRLML6402

          品牌:IR 型号:IRLML6402 批号:2010 封装:SMD 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:详见规格书（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:详见规...

          大功率MOSFET管NTD3055
          大功率MOSFET管NTD3055
          • 品牌/商标：

            NS/国半

          • 型号/规格：

            NTD3055

          • 种类：

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型：

            N沟道

          • 导电方式：

            增强型

          • 用途：

            SW-REG/开关电源

          • 封装外形：

            SMD(SO)/表面封装

          • 材料：

            N-FET硅N沟道

          HEXFET功率MOSFET IRF724
          HEXFET功率MOSFET IRF724

            品牌:IR 型号:IRF7241PBF 封装:SOIC-8 批号:09+PB 类型:其他IC明通电子有限公司：经营世界各IC 本公司以“诚信为本，互惠互利”的经营理念，竭诚为各厂家配套服务经营产品：开关管、PIN管...

            • 黄东燕

            • 供应商等级： 免费会员
            • 企业类型：经销商
            • 地区:广东深圳

              • 电话：755-83019793

            IRF640 N沟道功率MOSFET，18A条，150 -200V的
            IRF640 N沟道功率MOSFET，18A条，150 -200V的
            • 品牌：

              IR

            • 型号：

              IRF640

            • 封装形式：

              DIP/SMD

            功率MOSFET管
            功率MOSFET管
            • 型号/规格：

              SVD4N60F

            • 品牌/商标：

              sl

            • 封装形式：

              TO-220F

            • *类别：

              无铅*型

            • 安装方式：

              直插式

            • 包装方式：

              盒带编带包装

            • 功率特征：

              *率

            现货场效应管（功率MOSFET）SVD5N60AF/AT
            现货场效应管（功率MOSFET）SVD5N60AF/AT
            • 品牌/商标：

              SILAN/士兰微

            • 型号/规格：

              SVD5N60AF/AT

            • 种类：

              *缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              SW-REG/开关电源

            • 封装外形：

              SMD(SO)/表面封装

            • 材料：

              N-FET硅N沟道

            * IRF840AS IRF840ASTRPBF 功率MOSFET
            * IRF840AS IRF840ASTRPBF 功率MOSFET
            • 品牌/商标：

              Vishay/威世通

            • 型号/规格：

              IRF840AS

            • 种类：

              *缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物

            • 导电方式：

              增强型

            • 封装外形：

              SMD(SO)/表面封装

            • 封装形式：

              贴片型

            • 封装材料：

              塑料封装

            微盟原装 MEM2318 功率MOSFET
            微盟原装 MEM2318 功率MOSFET

              品牌:Micro One 型号:MEM2318 封装:TSSOP8 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM2318NMOS 20V 12V 6A 19mΩ TSSOP8/SOT26 描述:MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应...

              • 李细芳

              • 供应商等级： 免费会员
              • 企业类型：经销商
              • 地区:广东深圳

                • 电话：0755-89968970

              N沟道功率MOSFET*开关管FS10ASJ-2
              N沟道功率MOSFET*开关管FS10ASJ-2

                品牌:MITSUBISHI 日本三菱 型号:FS10ASJ-2 种类:调速式 额定电压:100（V） 额定电流:10（A） 接触电阻:0.19（Ω） *缘电阻:0.21（MΩ） 产品性质:新品 营销方式:库存 营销价格:*产品详细...

                IRFP450PBF VISHAY IR TO247 *原装，N沟道功率MOSFET
                IRFP450PBF VISHAY IR TO247 *原装，N沟道功率MOSFET
                • 品牌/商标：

                  VISHAY / IR

                • 型号/规格：

                  IRFP450PBF

                • 种类：

                  *缘栅(MOSFET)

                • 沟道类型：

                  N沟道

                • 导电方式：

                  增强型

                • 封装外形：

                  CHIP/小型片状

                • 材料：

                  N-FET硅N沟道

                • 开启电压：

                  500V（V）

                功率MOSFET管IRF620
                功率MOSFET管IRF620

                  品牌:IR 型号:IRF620 批号:09+ 封装:TO-220 营销方式:现货 类型:其他IC原装现货，诚信经营价格有波动，请确认价格

                  集成电流模式PWM控制器 一颗功率MOSFET
                  集成电流模式PWM控制器 一颗功率MOSFET

                    品牌:XN 型号:XN1358 封装:DIP8 批号:11 类型:其他ICXN1358是一款开关电源转换器芯片，其内部集成了一颗高集成度、*的电流模式PWM控制器和一颗功率MOSFET。它适用于小于27W的开关电源设备。为了降低待机功耗，满足更...

                    专营功率MOSFET3.2A 20V N沟道
                    专营功率MOSFET3.2A 20V N沟道

                      品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRLMS1902TRPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:HEMT高电子迁移率 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:*...

                      TOP267 功率MOSFET 多模式PWM控制器
                      TOP267 功率MOSFET 多模式PWM控制器

                        品牌:POWER 型号:TOP267VG TOP267KG TOP267EG 封装:EDIP-12 eSOP-12 eSIP-7C 批号:11+ 类型:录像机I*OP267VG TOP267KG TOP267EG功率MOSFET 多模式PWM控制器薄型36.3W LCD*器 华英半导体*渠道-原装供应 邵先生/ 低调&...

                        现货 FDS4559 60V,功率MOSFET,SOP-
                        现货 FDS4559 60V,功率MOSFET,SOP-
                        • 品牌：

                          FAIRCHILD/*童

                        • 型号：

                          FDS4559

                        • 种类：

                          *缘栅(MOSFET)

                        • 沟道类型：

                          N沟道

                        • 导电方式：

                          增强型

                        • 用途：

                          S/开关

                        • 封装外形：

                          SMD(SO)/表面封装

                        • 材料：

                          N-FET硅N沟道

                        • 蔡明柱

                        • 供应商等级： 免费会员
                        • 企业类型：经销商
                        • 地区:广东深圳

                          • 电话：0755-83989814

                        【现货特价】STN4NF03L 30V/4A N沟道功率MOSFET管 SOT-223封装
                        【现货特价】STN4NF03L 30V/4A N沟道功率MOSFET管 SOT-223封装
                        • 品牌/商标：

                          ST/意法

                        • 型号/规格：

                          STN4NF03L

                        • 种类：

                          绝缘栅(MOSFET)

                        • 沟道类型：

                          N沟道

                        • 导电方式：

                          耗尽型

                        • 用途：

                          L/功率放大

                        • 封装外形：

                          CHIP/小型片状

                        • 材料：

                          MES金属半导体

                        功率MOSFET管NTR4101PT1G
                        功率MOSFET管NTR4101PT1G

                          品牌:ON 型号:NTR4101PT1G 批号:2010+ 封装:SOT23 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:12（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:3（mW） ...

                          功率MOSFET行业资讯

                          • 三菱电机发布商用手持双向无线电用6．5W硅射频高功率MOSFET样品

                            三菱电机集团近日宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用...

                          • Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212－F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET

                            威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 ...

                          • Infineon - 英飞凌推出首款采用OptiMOS7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

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                          • Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET

                            Littelfuse公司（NASDAQ: LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。　　Pola...

                          什么是功率MOSFET?

                          • 　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semiconductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。

                          • 目录

                            功率MOSFET

                          功率MOSFET技术资料

                          • 功率MOSFET的正向导通等效电路

                            一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1）等效电路： 2）说明： 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 二、功率MOSFET的反向导通...

                          • N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用

                            电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET...

                          • 功率MOSFET的参数那么多，实际应用中该怎么选？

                            功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 　　由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简...

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