2N7002
UTC
晶体管*性:N沟道 漏*电流, Id 值:280mA 电压, Vds :60V 开态电阻, Rds(on):5ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs :2.1V 功耗:0.2W 工作温度范围:-55to 150 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(温度关注物质):Cobalt dichlo...
电话:0755-88608324
手机:
ON/安森美
NTR0202PLT1
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:86 0755 88609098
0N/安森美
MGSF1N03LT1G
放大
小功率
低频
NPN型
硅(Si)
SOT223
电话:0755-83776888
手机:13510737511
美国IPS
ITA13N60A
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-85317500
TIX美国德州仪器
CSD19506KCS
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 82565422
Vishay/威世通
IRF840AS
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
SMD(SO)/表面封装
贴片型
塑料封装
电话:86 0755 82814318
手机:13570824511
TIX美国德州仪器
CSD16403Q5A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
电话:86 0755 82567630
手机:13714425085
电源模块
POWER
LNK304DN
12
120
0
7
电视机
手机:15817468549
IR/国际整流器
IRF1010EPBF IRF1010
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
0N/安森美
MTD6N20ET4
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRFP260NPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
0N/安森美
功率MOSFET
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
手机:
TOSHIBA/东芝
2SK3078
功率
硅(Si)
PNP型
10(V)
0.5(A)
1(W)
手机:
否
功率二*管
是
0N/安森美
NTB18N06LT 18N06 功率MOSFET
TO-263
NTB18N06LT
功率MOSFET
手机:
品牌:MICROCHIP/微芯型号:T*426AEOA种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:CC/恒流封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:N-FET硅N沟道原装现货Features:• High Peak Output Current &...
电话:86 0755 28580524
手机:13728709180
FM, 2SK , 2SJ, MP, F50
富士电机
-
无铅*型
-
-
电话:0755-83480330-867
品牌:IR 型号:IR2111 批号:09+ 封装:SOP/DIP8 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:中规模 规格尺寸:SOP/DIP8(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:*静...
电话:0755-158896051
型号:UT*N60 输入电压范围:600(V) 输出功率:1.77(W) 应用范围:逆变器开关电源,电脑主板,显示卡,马达驱动,继电器驱动,蓄电池充电器,逆变器(UPS电源),车载电子设备,PDA,电子镇流器(用于日光灯,移动电话,GPS接收器)
电话:0755-83665402
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 ...
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服务器、计算...
一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1)等效电路: 2)说明: 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 二、功率MOSFET的反向导通...
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简...