IR/国际整流器
IRFZ44NPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
55(V)
手机:
HX
HX12N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
4(V)
电话:86 755 28412985
FAIRCHILD/*童
FCP20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
LLCC/无引线陶瓷片载
IGBT*缘栅比*
电话:86 0755 83776050
SMD(SO)/表面封装
FDD8444L
MES金属半导体
MOS-HBM/半桥组件
FAIRCHILD/仙童
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0755-88600801
手机:18038114430
SVD2N70
士兰(SILAN)
TO-220F/P
无铅*型
直插式
盒带编带包装
电话:0769-85638990
手机:15999826289
品牌:ST/意法型号:STP75NF75种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:P沟道导电方式:增强型我公司现大量现货出售ST品牌STP75NF75,产地中国,摩洛哥.,*出售,欢迎来电洽谈"
电话:0571-88009842
电话:86 020 18927527006
手机:13543434566
K1522
HITACHI
TO-247/TO-*L
无铅*型
直插式
散装
电话:0755-83773517
手机:15989309859
IR/国际整流器
IRF840
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0755-88824483
NS/国半
NTD3055
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-33034819
SVD4N60F
sl
TO-220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
电话:769-23177534
手机:13631712682
AOS/美国万代
AO8804
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-83374996
FAIRCHILD/*童
RHRD660S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
电话:0755-83035360
FAIRCHILD/*童
FDP150N10
品牌/商标FAIRCHILD/*童型号/规格FDP150N10种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途L/功率放大封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料N-FET硅N沟道开启电压100(V) 夹断电压100(V) 跨导1(μS) *间电...
电话:0755-83859259
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4020PBF 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 10...
电话:0755-82566460
司坦森
ST2301M
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0769-85357955
电话:755-82543270
TOY日本罗姆
RCX330N25
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0755-82400977
Vishay/威世通
SI2302ADS-T1-E3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
*(V)
*(V)
电话:0755-83687685
ANPEC/茂达
APM7313KC-TR
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CHIP/小型片状
MES金属半导体
电话:0755-83681282
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控...
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻的DPAK...
意法半导体的900VMDmesh™K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有
意法半导体的900VMDmeshK5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。 一、什么...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增...
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电,也就是说绕组有时需正向电流,有时需反向电流,这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 电路原理 给出...