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场效应模块

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场效应模块 IRFK4H250
场效应模块 IRFK4H250
  • 型号/规格：

    IRFK4H250

  • 品牌/商标：

    IR

富士通N-FET,激励、驱动场效应模块FT6120D
富士通N-FET,激励、驱动场效应模块FT6120D
  • 型号/规格：

    FT6120D

  • 品牌/商标：

    FUJITSU

  • 环保类别：

    普通型

APT10050。场效应模块价格优惠
APT10050。场效应模块价格优惠
  • 品牌：

    APT美国*功率

  • 型号：

    APT10050

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D-G双栅四*

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

场效应模块STE70NM50(图)
场效应模块STE70NM50(图)

    品牌:ST 型号:STE70NM50 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型自家库存,现货*

    • 陈文强(个体经营)

    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-61685458

    APT10050。场效应模块价格优惠
    APT10050。场效应模块价格优惠

      品牌:APT美国*功率 型号:APT10050 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D-G双栅四* 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:500（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:01（&...

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