由于IGBT类电源的特殊性，于一般的电源相比其中很多器件都会有相应的改动。滤波电容就是其中一个变动较大的器件。为了为大功率电源进行不间断的供电，滤波电容需要拥有较大的外接容量。那么这种电容应该如何进行设计呢?本文就将从几个不同的方面来进行介绍。第一
导读：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。
O 引言 自MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁T扰...
